新葡的京集团350vip8888(中国官网)欢迎您

代   盼

作者:admin时间:2018-12-29 浏览:1695


个人简历

代盼,博士、硕士生导师。女,1987年生,2010年获合肥工业大学电子科学与技术学士学位,2013年获中国科学院大学电子与通信工程硕士学位,2016年获中国科学院大学微电子学博士学位。

先后主持和参与国家和省部级科研课题3项。在 《solar energy materials & solarcells》、《Applied physics express》、《Journal of crystal growth》等国内外和会议上发表论文20余篇。

 

研究方向

III-V化合物半导体,分子束外延生长及材料表征,单结及多结太阳电池的材料生长与器件,光电器件测试及模拟计算等。

 

主要承担的教学课程

本科生课程:计算机网络

 

代表性学术成果

论文及专利

1.P. Dai, S. L.Lu, Y. Q. Zhu, L. Ji, W. He, M. Tan H. Yang, M. Arimochi, H. Yoshida, S.Uchida, and M. Ikeda, The investigation of GaInP solar cell grown by all-solidMBE, J. Crystal. Growth 378, 604-606 (2013).SCI收录

2.P. Dai, S. L.Lu, L. Ji, W. He, L. F. Bian, H. Yang, M. Arimochi, H. Yoshida, S. Uchida, andM. Ikeda, GaAs/GaInP dual junction solar cell grown by molecular beam epitaxy,Journal of Semiconductors. 34, 104006 (2013).

3.P. Dai, S. L.Lu, M. Arimochi, S. Uchida, T. Watanabe, X. D. Luo, and H. Yang, Carrierstransport properties in GaInP solar cells grown by molecular beam epitaxy, SolidState Commu. 200, 9 (2014).SCI收录

4.P. Dai, M. Tan,Y. Y. Wu, L. Ji, L. F. Bian, S. L. Lu, and H. Yang, Solid-state telluriumdoping of AlInP and its application to photovoltaic devices grown by molecularbeam epitaxy, J. Cry. Growth 413, 71-75 (2015).SCI收录

5.P. Dai, S. L.Lu, S. Uchida, L. Ji, Y. Y. Wu, M. Tan, L. F. Bian, and H. Yang,Room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs four junction solarcell grown by all-solid state MBE, Appl. Phys. Express, 9, 016501 (2016).                                                                               SCI收录

6.P. Dai, J. Y. Lu,Q. S. Wang, M. Tan, Y. Y. Wu, L. Ji, L.F. Bian, S. L. Lu, and H. Yang.A full transparent electrode application in III-V compound solarcell. Chin. Phys.B. 26(3): 037305 (2017).SCI收录

7.P. Dai, L. Ji, M.Tan, Y. Y. Wu, S. Uchida, S. L. Lu, H. Yang, Electron irradiation study ofroom-temperature wafer-bonded four-junction solar cell grown by MBE. Sol.Energy Mater. Sol. Cells. 171:18-122 (2017). SCI收录

8.W. X. Yang, P. Dai,L. Ji, M. Tan, Y. Y. Wu, S. Uchida, S. L. Lu, H. Yang, Investigation ofroom-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells,Applied Surface Science 389,673-678 (2016).  SCI收录

9.Q. Chen, F.Y.Ye, J.Q. Lai, P. Dai, S.L. Lu, C.Q. Ma, Y.F. Zhao, Y. Xie, L.W. Chen, Energyband alignment in operando inverted structure P3HT:PCBM organic solar cells, NanoEnergy 40 (2017) 454461SCI收录

10.Y. Y. Wu, L. Ji, P. Dai, M. Tan, S. L. Lu, H. YangJpn. J. Appl. Phys,55,022301(2016)SCI收录

11.W. X. Yang, L. Ji, P. Dai, M. Tan, Y. Y. Wu, J. Y. Lu, B. J. Li , J. Gu,S. L. Lu, and Z. Q. Ma, Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 17, 177802 (2015).

12.S. L. Lu, L. Ji, W. He, P. Dai, H. Yang, M. Arimochi, H. Yoshida, S.Uchida, and M. Ikeda, Nanoscale Research Letters 6, 576 (2011).SCI收录

13.M. Tan, L. Ji, Y. Y. Wu, Pan Dai, Q. S. Wang, S. L. Lu, and H. Yang,Appl. Phys. Express 7, 096601 (2014). SCI收录

14.S. P. Jia, G. F. Chen, W. He, P. Dai, J. X. Chen, S. L. Lu, and H. Yang,Appl. Surf. Sci., 317, 828 (2014). SCI收录

15.N. Asaka, R. Harasawa, S. L. Lu, P. Dai, and A. Tackeuchi, Appl. Phys.Lett. 104, 112404 (2014).SCI收录

16.M. Uemura, K. Honda, Y. Yasue, S.L. Lu, P.Dai and A. Tackeuchi, Appl. Phys. Lett. 104, 122403 (2014). SCI收录

17.代盼、李鹏,黄寓洋,何巍,季莲,陆书龙,董建荣,杨辉, 一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备,实用新型专利,专利号ZL 2012 20005989.1

18.代盼、陆书龙 杨辉,GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法, 发明专利,专利号:ZL201210496057.6

19.代盼、陆书龙 谭明, InGaAs/QWIP双色红外探测器及其制备方法,发明专利,专利号:ZL 201510039185.1

20.代盼、陆书龙 季莲 谭明 吴渊渊杨辉,太阳能电池的测试设备,ZL201410205739.6

21.代盼、陆书龙 吴渊渊, 基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法, ZL201510031344.3

22.代盼、陆书龙 谭明 吴渊渊 季莲杨辉,五结太阳电池及其制备方法,ZL201510670555.1

 

主要科研项目

主持:

1.全透明导电薄膜III-V多结太阳电池及抗辐照特性研究,国家自然科学基金青年科学基金,2018-2010          

2.LED性能测试光学系统加工,横向项目,2016-2017

参与:

3.空间用高效四结太阳电池器件及辐射加固方法研究,国家自然科学重点基金项目,2016-2020

 

联系方式

Email02627@zjhu.edu.cn

打印: